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高功率密度碳化硅MOSFET软千赢娱乐平台三相逆变器损耗分析

相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的千赢娱乐平台速度和更低的千赢娱乐平台损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高千赢娱乐平台频率场合时其千赢娱乐平台损耗随着千赢娱乐平台频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度,探讨了采用软千赢娱乐平台技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同千赢娱乐平台频率下的零电压千赢娱乐平台三相逆变器及硬千赢娱乐平台三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积, 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与千赢娱乐平台频率之间的关系。 随着千赢娱乐平台频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz,软千赢娱乐平台逆变器不仅能够维持较高的转换效

标签: MOSFET
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